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型号 EPC1010
厂商 EPC
描述 TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
EPC1010 PDF
代理商 EPC1010
应用说明 Second Generation eGaN® FETs
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块 eGaN™ Basics
eGaN™ Power Transistors Characteristics
Drivng eGaN™ Power Transistors
eGaN FETs for DC-DC Conversion
eGaN FET Reliability
产品变化通告 EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011
RoHS指令信息 Lead Free/RoHS Statement
标准包装 1
系列 eGaN®
FET 型 GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 25 毫欧 @ 6A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1.2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 7.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 440pF @ 100V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 7-SMD，凸引线
供应商设备封装 7-LGA（3.6x1.6）
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1599 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 917-1004-1
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